Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://repo.snau.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/7228
Назва: The Wall Temperature Measurement and Effects on the Missile Complex Surface Based on the Semiconductor Diode and Electronic System
Інші назви: Вимірювання температури стінки і вплив на поверхню ракетного комплексу на основі напівпровідникового діода та електронної системи
Измерение температуры стенки и воздействие на поверхность ракетного комплекса на основе полупроводникового диода и электронной системы
Автори: Pavlyuchenko, Anatoly Mikhaylovich
Shyiko, Oleksandr Mikolayevich
Klochkova, Tetiana Ivanivna
Павлюченко, Анатолій Михайлович
Шийко, Олександр Миколайович
Клочкова, Тетяна Іванівна
Павлюченко, Анатолий Михайлович
Шийко, Александр Николаевич
Клочкова, Татьяна Ивановна
Ключові слова: aerophysical missile complex
complex forebody
wall temperature
ракетний аерофізичний комплекс
головна частина комплекса
температура стінки
ракетный аерофізичний комплекс
главная часть комплекса
температура стенки
Дата публікації: 2019
Видавництво: СумДУ
Бібліографічний опис: Pavliuchenko A. M. The Wall Temperature Measurement and Effects on the Missile Complex Surface Based on the Semiconductor Diode and Electronic System [Electronic resource] / A. M. Pavliuchenko, O. M. Shyiko, T. I. Klochkova // Journal Nano- and Electronic Physics. – Суми : СумДу, 2019. – № 3. – С. 1-5.
Короткий огляд (реферат): The problem of high-precision measurement of the temperature of the forebody wall of an aerophysical missile complex in flight along the trajectory to the altitude of Н ≤ 8 km in response to changes in the numbers of Mach М∞ ≤ 2.0, Reynolds ReL,∞ ≤ 2•107, non-isothermicity, solid-fuel jet engine (SFJE) operation with acceleration of a ≤ 12g that are not simultaneously simulated in modern supersonic aerodynamic units, has been solved. Semiconductor diodes CD-521 from different materials have been used to measure the temperature of the wall of this object along the forebody length. The sensitivity of CD-521 is 2.5 mV/deg. The airborne electronic and telemetry systems have a high degree of accuracy and high-speed action. The survey of semiconductor diodes CD-521 has been carried out consistently in time at intervals of 5ms, and the error of measurement of the temperature of the forebody wall of the missile aerophysic complex does not exceed 1%. The airborne electronic and telemetry systems, semiconductor diodes CD-521 and data on the wall temperature along the forebody length have enabled to resolve aerophysical challenges associated with the supersonic separated and unseparated flow of the missile complex forebody under the laminar-turbulent transition in the wall jet and in its interaction with the separated wall flow. Вирішена проблема вимірювання з високою точністю температури стінки головної частини ракетного аерофізичного комплекса в польоті по траєкторії до висоти Н ≤ 8 км в умовах зміни чисел Маха М∞ ≤ 2.0, Рейнольдса ReL,∞ ≤ 2•107, неізотермічності, роботи реактивного двигуна на твердому паливі (РДТП), прискорення a ≤ 12g, що одночасно не моделюються в сучасних надзвукових аеродинамічних установках. Для вимірювання температури стінки цього об’єкта із різних матеріалів по довжині головної частини використовувались напівпровідникові діоди КД-521. Чутливість КД-521 складала 2,5 мВ/град. Бортова електронна і телеметрична системи мали високий рівень швидкісної дії і точності. Опитування напівпровідникових діодів КД-521 здійснювалось послідовно в часі через 5 мс, а похибка вимірювання температури стінки головної частини комплекса не перевищувала 1%. Бортова електронна, телеметрична системи, напівпровідникові діоди КД-521 і дані про температуру стінки по довжині головної частини дозволили вирішити складні аерофізичні проблеми, пов’язані з безвідривним і відривним надзвуковим обтіканням головної частини ракетного комплекса в умовах ламінарно-турбулентного переходу в пристінній течії і при взаємодії його з відривним обтіканням стінки.
Опис: Решена проблема измерения с высокой точностью температуры стенки головной части ракетного аэрофизического комплекса в полете по траектории до высоты Н ≤ 8 км в условиях изменения чисел Маха М∞ ≤ 2.0, Рейнольдса ReL,∞ ≤ 2•107, неизотермичности, работы реактивного двигателя на твердом топливе (РДТТ), ускорения a ≤ 12g, что одновременно не моделируются в современных сверхзвуковых аэродинамических установках. Для измерения температуры стенки этого объекта из разных материалов по длине главной части использовались полупроводниковые диоды КД-521. Чувствительность КД-521 составляла 2,5 мВ/град. Бортовая электронная и телеметрическая системы имели высокий уровень скоростного действия и точности. Исследование полупроводниковых диодов КД-521 осуществлялось последовательно во времени через 5 мс, а погрешность измерения температуры стенки головной части комплекса не превышала 1%. Бортовая электронная, телеметрическая системы, полупроводниковые диоды КД-521 и данные о температуре стенки по длине головной части позволили решить сложные аэрофизические проблемы, связанные с безотрывным и отрывным сверхзвуковым обтеканием головной части ракетного комплекса в условиях ламинарно-турбулентного перехода в пристенной струе и при взаимодействии его с отрывным обтеканием стенки.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://repo.snau.edu.ua/handle/123456789/7228
Розташовується у зібраннях:Статті, тези доповідей

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2.pdf741,85 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.