Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://repo.snau.edu.ua/xmlui/handle/123456789/4701
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Шкурдода, Юрій Олексійович | - |
dc.contributor.author | Чорноус, Анатолій Миколайович | - |
dc.contributor.author | Кравченко, Володимир Олексійович | - |
dc.contributor.author | Лобода, Валерій Борисович | - |
dc.contributor.author | Шкурдода, Юрий Алексеевич | - |
dc.contributor.author | Чорноус, Анатолий Николаевич | - |
dc.contributor.author | Кравченко, Владимир Алексеевич | - |
dc.contributor.author | Лобода, Валерий Борисович | - |
dc.contributor.author | Shkurdoda, Yurii | - |
dc.contributor.author | Chornous, Anatolii | - |
dc.contributor.author | Kravchenko, Volodymyr | - |
dc.contributor.author | Loboda, Valerii | - |
dc.date.accessioned | 2017-07-10T07:38:53Z | - |
dc.date.available | 2017-07-10T07:38:53Z | - |
dc.date.issued | 2016 | - |
dc.identifier.citation | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту [Електронний ресурс] / Ю. О. Шкурдода, А. М. Чорноус, В. О. Кравченко, В. Б. Лобода // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : сборник научных трудов. - Київ : Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины, 2016. - Т.14. - № 2. - С. 293-307. | uk_UK |
dc.identifier.uri | http://repo.sau.sumy.ua/handle/123456789/4701 | - |
dc.description | Dependences of crystal structure, morphology, electrical and magnetoresistive properties of ultrathin films of Co on effective thickness in the range of d=3–30 nm are studied. As shown, all obtained samples have island structure with the sizes of individual islands of 3–5 nm for condensed films and of 30 nm for annealed ones at a temperature of 700 K. Conductivity and magnetoresistance of films are determined by their thickness and morphology. For films with d=3–10 nm, conductivity is thermally activated, and tunnelling magnetoresistance is realized. Annealing of films with d=20–30 nm leads to anisotropy magnetoresistance. The maximum value of the tunnelling magnetoresistance of 0.5% for condensed films with perpendicular geometry. | uk_UK |
dc.description.abstract | Проведено дослідження кристалічної структури, морфології, електропровідності та магнеторезистивних властивостей надтонких плівок кобальту з ефективними товщинами в інтервалі d=3–30 нм. Показано, що всі одержані зразки мають острівцеву структуру з розмірами окремих острівців у 3–5 нм для свіжосконденсованих плівок і до 30 нм для відпалених за температури 700 К. Електропровідність і магнетоопір плівок визначаються їх товщиною та морфологією. Для плівок з d=3–10 нм електропровідність є термічно активованою, і реалізується тунельний магнетоопір. Відпалювання плівок з d=20–30 нм приводить до появи анізотропії магнетоопору. Максимальне значення тунельного магнетоопору складає 0,5% для свіжосконденсованих плівок при перпендикулярній геометрії. Проведены исследования кристаллической структуры, морфологии, электропроводности и магниторезистивных свойств сверхтонких плёнок Co с эффективными толщинами в интервале d=3–30 нм. Показано, что все полученные образцы имеют островковую структуру с размерами отдельных островков 3–5 нм для свежесконденсированных плёнок и до 30 нм для отожжённых при температуре 700 К. Электропроводность и магнитосопротивление плёнок определяются их толщиной и морфологией. Для плёнок с d=3–10 нм электропроводность является термически активированной, и реализуется туннельное магнитосопротивление. Отжиг плёнок с d=20–30 нм приводит к появлению анизотропии магнитосопротивления. Максимальное значение туннельного магнитосопротивления составляет 0,5% для свежесконденсированных плёнок при перпендикулярной геометрии. | uk_UK |
dc.language.iso | other | uk_UK |
dc.publisher | Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины | uk_UK |
dc.subject | кристалічна структура | uk_UK |
dc.subject | тунельний магнетоопір | uk_UK |
dc.subject | спін-залежне тунелювання | uk_UK |
dc.subject | кристаллическая структура | uk_UK |
dc.subject | туннельное магнитосопротивление | uk_UK |
dc.subject | спин-зависимое туннелирование | uk_UK |
dc.subject | crystal structure | uk_UK |
dc.subject | tunnel magnetoresistance | uk_UK |
dc.subject | spin-dependent tunnelling | uk_UK |
dc.title | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту | uk_UK |
dc.title.alternative | Магнеторезистивные свойства нанокристаллических пленок кобальта | uk_UK |
dc.title.alternative | Magnetoresistive properties of nanocrystalline films of cobalt | uk_UK |
dc.type | Other | uk_UK |
Розташовується у зібраннях: | Статті, тези доповідей |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Магнеторезистивні властивості.pdf | 415,76 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.