Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://repo.snau.edu.ua/xmlui/handle/123456789/4701
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorШкурдода, Юрій Олексійович-
dc.contributor.authorЧорноус, Анатолій Миколайович-
dc.contributor.authorКравченко, Володимир Олексійович-
dc.contributor.authorЛобода, Валерій Борисович-
dc.contributor.authorШкурдода, Юрий Алексеевич-
dc.contributor.authorЧорноус, Анатолий Николаевич-
dc.contributor.authorКравченко, Владимир Алексеевич-
dc.contributor.authorЛобода, Валерий Борисович-
dc.contributor.authorShkurdoda, Yurii-
dc.contributor.authorChornous, Anatolii-
dc.contributor.authorKravchenko, Volodymyr-
dc.contributor.authorLoboda, Valerii-
dc.date.accessioned2017-07-10T07:38:53Z-
dc.date.available2017-07-10T07:38:53Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationМагнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту [Електронний ресурс] / Ю. О. Шкурдода, А. М. Чорноус, В. О. Кравченко, В. Б. Лобода // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : сборник научных трудов. - Київ : Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины, 2016. - Т.14. - № 2. - С. 293-307.uk_UK
dc.identifier.urihttp://repo.sau.sumy.ua/handle/123456789/4701-
dc.descriptionDependences of crystal structure, morphology, electrical and magnetoresistive properties of ultrathin films of Co on effective thickness in the range of d=3–30 nm are studied. As shown, all obtained samples have island structure with the sizes of individual islands of 3–5 nm for condensed films and of 30 nm for annealed ones at a temperature of 700 K. Conductivity and magnetoresistance of films are determined by their thickness and morphology. For films with d=3–10 nm, conductivity is thermally activated, and tunnelling magnetoresistance is realized. Annealing of films with d=20–30 nm leads to anisotropy magnetoresistance. The maximum value of the tunnelling magnetoresistance of 0.5% for condensed films with perpendicular geometry.uk_UK
dc.description.abstractПроведено дослідження кристалічної структури, морфології, електропровідності та магнеторезистивних властивостей надтонких плівок кобальту з ефективними товщинами в інтервалі d=3–30 нм. Показано, що всі одержані зразки мають острівцеву структуру з розмірами окремих острівців у 3–5 нм для свіжосконденсованих плівок і до 30 нм для відпалених за температури 700 К. Електропровідність і магнетоопір плівок визначаються їх товщиною та морфологією. Для плівок з d=3–10 нм електропровідність є термічно активованою, і реалізується тунельний магнетоопір. Відпалювання плівок з d=20–30 нм приводить до появи анізотропії магнетоопору. Максимальне значення тунельного магнетоопору складає 0,5% для свіжосконденсованих плівок при перпендикулярній геометрії. Проведены исследования кристаллической структуры, морфологии, электропроводности и магниторезистивных свойств сверхтонких плёнок Co с эффективными толщинами в интервале d=3–30 нм. Показано, что все полученные образцы имеют островковую структуру с размерами отдельных островков 3–5 нм для свежесконденсированных плёнок и до 30 нм для отожжённых при температуре 700 К. Электропроводность и магнитосопротивление плёнок определяются их толщиной и морфологией. Для плёнок с d=3–10 нм электропроводность является термически активированной, и реализуется туннельное магнитосопротивление. Отжиг плёнок с d=20–30 нм приводит к появлению анизотропии магнитосопротивления. Максимальное значение туннельного магнитосопротивления составляет 0,5% для свежесконденсированных плёнок при перпендикулярной геометрии.uk_UK
dc.language.isootheruk_UK
dc.publisherИнститут металлофизики им. Г. В. Курдюмова Национальной Академии наук Украиныuk_UK
dc.subjectкристалічна структураuk_UK
dc.subjectтунельний магнетоопірuk_UK
dc.subjectспін-залежне тунелюванняuk_UK
dc.subjectкристаллическая структураuk_UK
dc.subjectтуннельное магнитосопротивлениеuk_UK
dc.subjectспин-зависимое туннелированиеuk_UK
dc.subjectcrystal structureuk_UK
dc.subjecttunnel magnetoresistanceuk_UK
dc.subjectspin-dependent tunnellinguk_UK
dc.titleМагнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальтуuk_UK
dc.title.alternativeМагнеторезистивные свойства нанокристаллических пленок кобальтаuk_UK
dc.title.alternativeMagnetoresistive properties of nanocrystalline films of cobaltuk_UK
dc.typeOtheruk_UK
Розташовується у зібраннях:Статті, тези доповідей

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Магнеторезистивні властивості.pdf415,76 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.