00 DSpace/Manakin Repository

Wall Temperature and Effects on the Missile Complex Surfase Based on the Semiconductor Diode and Electronic System

Показати скорочений опис матеріалу

dc.contributor.author Pavlyuchenko, Anatoly Mikhaylovich
dc.contributor.author Shyiko, Oleksandr Mikolayevich
dc.contributor.author Klochkova, Tetiana Ivanivna
dc.contributor.author Павлюченко, Анатолій Михайлович
dc.contributor.author Шийко, Олександр Миколайович
dc.contributor.author Клочкова, Тетяна Іванівна
dc.contributor.author Павлюченко, Анатолий Михайлович
dc.contributor.author Шийко, Александр Николаевич
dc.contributor.author Клочкова, Татьяна Ивановна
dc.date.accessioned 2020-02-19T14:43:10Z
dc.date.available 2020-02-19T14:43:10Z
dc.date.issued 2019
dc.identifier.citation Pavliuchenko A. M. Wall Temperature and Physical Effects on the Missile Complex Surface [Electronic resource] / A. M. Pavliuchenko, O. M. Shyiko, T. I. Klochkova // Journal Nano- and Electronic Physics. – Суми : СумДу, 2019. – № 3. – С. 1-8. uk_UA
dc.identifier.uri http://repo.snau.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/7451
dc.description Решена проблема измерения с высокой точностью температуры стенки гoлoвной части ракетного аэрофизического комплекса в полете по траектории до высоты Н ≤ 8 км в условиях изменения чисел Маха М∞ ≤ 2.0, Рейнольдса ReL,∞ ≤ 2•107, неизотермичности, работы реактивного двигателя на твердом топливе (РДТП), ускорения a ≤ 12g, что одновременно не моделируются в современных сверхзвуковых аэродинамических установках. Для измерения температуры стенки этого объекта из разных материалов по длине гoлoвной части использовались полупроводниковые диоды КД-521. Чувствительность КД-521 составляла 2.5 мВ/град. Бортовая электронная и телеметрическая системы имели высокий уровень скоростного действия и точности. Опрос полупроводниковых диодов КД-521 осуществлялся последовательно во времени через 5 мс, а погрешность измерения температуры стенки гoлoвной части комплекса не превышала 1%. Бортовая электронная, телеметрическая системы, полупроводниковые диоды КД-521 и данные о температуре стенки по длине гoлoвной части позволили решить сложные аэрофизические проблемы, связанные с безотрывным и отрывным сверхзвуковым обтеканием гoлoвной части ракетного комплекса в условиях ламинарно-турбулентного перехода в пристенном течении при взаимодействии его с отрывным обтеканием стенки. uk_UA
dc.description.abstract The problem of high-precision measurement of the temperature of the forebody wall of an aerophysical missile complex in flight along the trajectory to the altitude of Н ≤ 8 km in response to changes in the numbers of Mach М∞ ≤ 2.0, Reynolds ReL,∞ ≤ 2•107, non-isothermicity, solid-fuel jet engine (SFJE) operation with acceleration of a ≤ 12g that are not simultaneously simulated in modern supersonic aerodynamic units, has been solved. Semiconductor diodes KD-521 from different materials have been used to measure the temperature of the wall of this object along the forebody length. The sensitivity of KD-521 is 2.5 mV/deg. The airborne electronic and telemetry systems have a high degree of accuracy and high-speed action. The survey of semiconductor diodes KD-521 has been carried out consistently in time at intervals of 5ms, and the error of measurement of the temperature of the forebody wall of the missile aerophysic complex does not exceed 1%. The airborne electronic and telemetry systems, semiconductor diodes KD-521 and data on the wall temperature along the forebody length have enabled to resolve aerophysical challenges associated with the supersonic separated and unseparated flow of the missile complex forebody under the laminar-turbulent transition in the wall jet and in its interaction with the separated wall flow. Вирішена проблема вимірювання з високою точністю температури стінки головної частини ракетного аерофізичного комплекса в польоті по траєкторії до висоти Н ≤ 8 км в умовах зміни чисел Маха М∞ ≤ 2.0, Рейнольдса ReL,∞ ≤ 2•107, неізотермічності, роботи реактивного двигуна на твердому паливі (РДТП), прискорення a ≤ 12g, що одночасно не моделюються в сучасних надзвукових аеродинамічних установках. Для вимірювання температури стінки цього об’єкта із різних матеріалів по довжині головної частини використовувались напівпровідникові діоди КД-521. Чутливість КД-521 складала 2,5 мВ/град. Бортова електронна і телеметрична системи мали високий рівень швидкісної дії і точності. Опитування напівпровідникових діодів КД-521 здійснювалось послідовно в часі через 5 мс, а похибка вимірювання температури стінки головної частини комплекса не перевищувала 1%. Бортова електронна, телеметрична системи, напівпровідникові діоди КД-521 і дані про температуру стінки по довжині головної частини дозволили вирішити складні аерофізичні проблеми, пов’язані з безвідривним і відривним надзвуковим обтіканням головної частини ракетного комплекса в умовах ламінарно-турбулентного переходу в пристінній течії і при взаємодії його з відривним обтіканням стінки. uk_UA
dc.language.iso other uk_UA
dc.publisher СумДу uk_UA
dc.subject aerophysical missile complex uk_UA
dc.subject complex forebody uk_UA
dc.subject wall temperature uk_UA
dc.subject ракетний аерофізичний комплекс uk_UA
dc.subject головна частина комплекса uk_UA
dc.subject температура стінки uk_UA
dc.subject ракетний аэрофизический комплекс uk_UA
dc.subject головная часть комплекса uk_UA
dc.subject температура стенки uk_UA
dc.title Wall Temperature and Effects on the Missile Complex Surfase Based on the Semiconductor Diode and Electronic System uk_UA
dc.title.alternative Вимірювання температури стінки і установлені ефекти на основі напівпровідникового діода і електронної системи в польоті ракетного комплекса uk_UA
dc.title.alternative Измерение температуры стенки и установленные эффекты на основе полупроводникового диода и электронной системы в полете ракетного комплекса uk_UA
dc.type Other uk_UA


Долучені файли

Даний матеріал зустрічається у наступних фондах

Показати скорочений опис матеріалу