Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://repo.snau.edu.ua:8080/xmlui/handle/123456789/4701
Назва: | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту |
Інші назви: | Магнеторезистивные свойства нанокристаллических пленок кобальта Magnetoresistive properties of nanocrystalline films of cobalt |
Автори: | Шкурдода, Юрій Олексійович Чорноус, Анатолій Миколайович Кравченко, Володимир Олексійович Лобода, Валерій Борисович Шкурдода, Юрий Алексеевич Чорноус, Анатолий Николаевич Кравченко, Владимир Алексеевич Лобода, Валерий Борисович Shkurdoda, Yurii Chornous, Anatolii Kravchenko, Volodymyr Loboda, Valerii |
Ключові слова: | кристалічна структура тунельний магнетоопір спін-залежне тунелювання кристаллическая структура туннельное магнитосопротивление спин-зависимое туннелирование crystal structure tunnel magnetoresistance spin-dependent tunnelling |
Дата публікації: | 2016 |
Видавництво: | Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины |
Бібліографічний опис: | Магнеторезистивні властивості нанокристалічних плівок кобальту [Електронний ресурс] / Ю. О. Шкурдода, А. М. Чорноус, В. О. Кравченко, В. Б. Лобода // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : сборник научных трудов. - Київ : Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова Национальной Академии наук Украины, 2016. - Т.14. - № 2. - С. 293-307. |
Короткий огляд (реферат): | Проведено дослідження кристалічної структури, морфології, електропровідності та магнеторезистивних властивостей надтонких плівок кобальту з ефективними товщинами в інтервалі d=3–30 нм. Показано, що всі одержані зразки мають острівцеву структуру з розмірами окремих острівців у 3–5 нм для свіжосконденсованих плівок і до 30 нм для відпалених за температури 700 К. Електропровідність і магнетоопір плівок визначаються їх товщиною та морфологією. Для плівок з d=3–10 нм електропровідність є термічно активованою, і реалізується тунельний магнетоопір. Відпалювання плівок з d=20–30 нм приводить до появи анізотропії магнетоопору. Максимальне значення тунельного магнетоопору складає 0,5% для свіжосконденсованих плівок при перпендикулярній геометрії. Проведены исследования кристаллической структуры, морфологии, электропроводности и магниторезистивных свойств сверхтонких плёнок Co с эффективными толщинами в интервале d=3–30 нм. Показано, что все полученные образцы имеют островковую структуру с размерами отдельных островков 3–5 нм для свежесконденсированных плёнок и до 30 нм для отожжённых при температуре 700 К. Электропроводность и магнитосопротивление плёнок определяются их толщиной и морфологией. Для плёнок с d=3–10 нм электропроводность является термически активированной, и реализуется туннельное магнитосопротивление. Отжиг плёнок с d=20–30 нм приводит к появлению анизотропии магнитосопротивления. Максимальное значение туннельного магнитосопротивления составляет 0,5% для свежесконденсированных плёнок при перпендикулярной геометрии. |
Опис: | Dependences of crystal structure, morphology, electrical and magnetoresistive properties of ultrathin films of Co on effective thickness in the range of d=3–30 nm are studied. As shown, all obtained samples have island structure with the sizes of individual islands of 3–5 nm for condensed films and of 30 nm for annealed ones at a temperature of 700 K. Conductivity and magnetoresistance of films are determined by their thickness and morphology. For films with d=3–10 nm, conductivity is thermally activated, and tunnelling magnetoresistance is realized. Annealing of films with d=20–30 nm leads to anisotropy magnetoresistance. The maximum value of the tunnelling magnetoresistance of 0.5% for condensed films with perpendicular geometry. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://repo.sau.sumy.ua/handle/123456789/4701 |
Розташовується у зібраннях: | Статті, тези доповідей |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Магнеторезистивні властивості.pdf | 415,76 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.