Abstract:
The study reports about effect of energy factor on the structure formation of nanocrystalline hafnium diboride films. It was shown, that in the magnetron sputtering the change of energy density Ebi delivered to growing film by bombarding ions occurring due to changing in substrate bias potential Us and ion current density js, leads to the formation of hafnium diboride films with various structural states from nanoclustered to nanocrystalline with a growth texture in plane (0.01) and nanocrystallites size from 2.3 to 20 nm respectively.
Досліджено вплив енергетичного фактора на формування структури нанокристалічних плівок дибориду гафнію. Показано, що в магнетронному розпиленні зміна щільності енергії Ebi, що подається на вирощування плівки бомбардуючими іонами, що відбуваються внаслідок зміни потенціалу зміщення субстрату Us і щільності іонного струму js, призводить до утворення плівок дибориду гафнію з різними структурними станами з нанокластеризовані до нанокристалічних з текстурою росту в площині (0,01) і нанокристалітах розміром від 2,3 до 20 нм відповідно.
Description:
В исследовании сообщается о влиянии энергетического фактора на формирование структуры нанокристаллических пленок диборида гафния. Показано, что при магнетронном распылении изменение плотности энергии Ebi, доставляемой растущей пленке путем бомбардировки ионами, возникающее вследствие изменения потенциала смещения подложки Us и плотности ионного тока js, приводит к образованию пленок диборида гафния с различными структурными состояниями из нанокластеры до нанокристаллических с ростом текстуры в плоскости (0,01) и размером нанокристаллитов от 2,3 до 20 нм соответственно.
