Effect of RF-magnetron Sputtering Parameters on the Structure of Hafnium Diboride Films

Abstract

The study reports about effect of energy factor on the structure formation of nanocrystalline hafnium diboride films. It was shown, that in the magnetron sputtering the change of energy density Ebi delivered to growing film by bombarding ions occurring due to changing in substrate bias potential Us and ion current density js, leads to the formation of hafnium diboride films with various structural states from nanoclustered to nanocrystalline with a growth texture in plane (0.01) and nanocrystallites size from 2.3 to 20 nm respectively. Досліджено вплив енергетичного фактора на формування структури нанокристалічних плівок дибориду гафнію. Показано, що в магнетронному розпиленні зміна щільності енергії Ebi, що подається на вирощування плівки бомбардуючими іонами, що відбуваються внаслідок зміни потенціалу зміщення субстрату Us і щільності іонного струму js, призводить до утворення плівок дибориду гафнію з різними структурними станами з нанокластеризовані до нанокристалічних з текстурою росту в площині (0,01) і нанокристалітах розміром від 2,3 до 20 нм відповідно.